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容易損壞，使用壽命很短”
“目前我們實驗生產在最好的條件下也是隻能使用5～25次的”
“他非常容易出現累積缺陷”
“接近式光刻接近式光刻機”
“這是一種掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙”
“一般大約為2.5～25 微米”
“這種光刻機可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷”
“他可以使的掩膜和光刻膠基底能耐久使用”
“使的掩膜壽命長”
“一般光刻機的掩膜的使用壽命可以提高到10倍以上”
“圖形缺陷少”
“目前接近式的工藝我們在光刻工藝中應用不是很廣範”
“投影式光刻投影式光刻”
“這是一種類似於膠片攝影，透過按下快門光線透過鏡頭投射到膠捲上並曝光”
“之後透過洗照片”
“即將膠捲在顯影液中浸泡，得到影象”
“投影式光刻因其高效率、無損傷的優點，是積體電路主流光刻技術”
“據我們所知目前貴國的研發機構目前還是在討論研發掃描投影光刻吧？”
麥斯還沒有說什麼呢。
隊伍中一箇中年男人開口說話了。
“是的張成先生”
“目前我們的研究機構就是正在理論這種你說的光刻機技術”
“我們的理論就是這種光刻機中掩膜版與圖案的大小是1:1”
“也就是掩膜版上的尺寸與光刻膠上的圖案尺寸相同”
“我們之所以稱之為掃描”
“我們就是想的是透過一條細長的狹縫射在基底上”
“來大道曝光”
“一般是一次曝光數行，基底需要挪動位置，使光能將所有的區域都曝光”
“我們設想的工藝節點為180 毫米到130 毫米”
“在掩膜板上我們想按照掩膜板1:1來”
“進行全尺寸曝光”
“我們還有一種設想就是一種步進重複投影光刻”
“我們工程師想著是使用透鏡系統將掩模上的圖案在小面積上逐個投影到基底上”
“每次曝光一個小區域後，基底會移動到下一個位置，直到整個基片都被曝光”
“一個曝光區域就是一個shot”
“工程師們考慮到它是透過透鏡系統投影”
“所以我們計劃使用365nm紫外光時使用的是5倍版”
“也就是掩膜版上圖形尺寸是實際光刻膠上的尺寸的5倍”
“所以在掩膜板上我們設想著可以設計更復雜的圖形”
“但是這種方式就會增加了稜鏡系統的製作難度”
“哈哈這位先生”
“我想你們沒有考慮過一種掃描步進投影光刻機”
“掃描步進投影光刻?”
“是的這位先生”
“在高階的半導體制造中一般會用到此種機型”
“他主要是用於0.18 毫米工藝”
“這種光刻機在起曝光過程中”
“掩膜版在一個方向上移動，同時晶圓在與其垂直的方向上同步移動”
“這種光刻機的特點就是增大了每次曝光的視場”
“提供矽片表面不平整的補償；提高整個矽片的尺寸均勻性”
“當然正是這些特點，因為需要反向運動，增加了機械系統的精度要求”
“這種通常比其他曝光機具有更高的生產效率，設計和製造都非常複雜”
“那麼他的購買和維護成
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