第438章 光刻機專案:另闢蹊徑
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沐陽研究更新後的閱讀系統兩個多小時才研究透,興奮得睡不著。
喝了一杯茶,他想看看晶片製造技術的核心裝置:光刻機。
目前市場上,有兩種主流光刻機,一個是DUV光刻機,另一個是EUV光刻機。DUV是深紫外線(DeepUltravioletLithography),EUV是極深紫外線(ExtreUltravioletLithography)。
從製程範圍來看,DUV基本上只能做到25nIntel憑藉雙工作臺的模式做到了10n但是卻無法達到10n下。
只有EUV能滿足10n下的晶圓製造,並且還可以向5n3n續延伸。
這個線寬其實就是跟光的線寬有關係,比如可見光的G線,那就是436n如果用來刻蝕,線路肯定很寬。
可以簡單地認為,光刻機的光系統其實就是一支畫筆,不同的光代表不同粗細大小的筆芯,越細的筆(光)能夠畫越細越複雜的畫。
DUV就是彩筆,EUV就是中性筆,中性筆畫的線條比較細,比較好用。
這麼理解,也好理解光刻機到底如何刻蝕電路圖了。
當前,國外品牌光刻機主要以荷藍ASML,島國Nikon和Canon三大品牌為主。
EUV的價格是1—3億美金/臺,DUV的價格為2000萬—5000萬美金/臺不等。
目前先進的光刻系統就是EUV光刻機,如果沐陽打算走EUV光刻機路線,必然繞不開別人的技術專利保護範圍。
因此,他只能尋找另外光種的光刻機,同時要考慮到光的解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等指標。
就說解析度,如果製作出來的電路圖模糊不清,那晶片肯定不好。
光刻機其它的指標,也可以比喻成畫筆的效能就行了。
並不是說,沐陽不能搞光刻機了,只是說,再搞DUV和EUV光刻機,繞不開以上三家企業的技術專利保護範圍。
所以,他只能另闢蹊徑。
很久之前,沐陽就想到過電子束光刻機。
原本,再過幾年,漂亮國的一個實驗室研發出一套名為ZyvexLitho1的光刻系統,基於STM掃描隧道顯微鏡,使用的是EBL(E-Beaithography)電子束光刻方式,製造出了0.7n寬的晶片,只是沒法實現批次生產,或者成本高過。
沐陽相信,如果是技術成熟的電子束光刻機,線寬比0.7n小。
他在系統商店普通貨架上默唸搜尋電子束光刻機,很快,搜尋出幾款相關技術。
沐陽選擇適合自己公司的一款技術:EBL01
技術引數:
1.最小線寬:小於1nbr/>
2.加速電壓:5—500kV
3.電子束直徑:小於0.5nbr/>
4.套刻精度:1nan+0.20)
5.拼接精度:1nan+0.20)
6.加工晶圓尺寸:4—18英寸
7.描電鏡解析度:小於0.2nbr/>
主要特點:
1.採用超高亮度和超高穩定性的TFE電子槍;
2.出色的電子束偏轉控制技術;
3.採用場尺寸調製技術,電子束定位解析度可達0.0002n
4.採用軸對稱圖形書寫技術,圖形偏角解析度可達0.002ad;
5.應用領域廣泛,如
微納器件加工,研究用掩膜製造,奈米加工(例如單電子器件、量子器件製作等),高
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